以InGaAsn型场效应晶体管(nFET)器件的3D单片集成为例，干货国改革方在SiGe-OI(绝缘体上)短通道p型FET(pFET)上生长和制备，干货国改革方以实现在供电电压VDD =0.25V下工作的最先进的CMOS逆变器。

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